Транзисторы OptiMOS™ 5 на 150В : рекордное снижение сопротивления во включенном состоянии RDS(on) и заряда обратного восстановления (Qrr)
Компания Infineon Technologies представляет новую серию MOSFET транзисторов OptiMOSTM 5 150 V, которая расширяет линейку транзисторов OptiMOS 5-го поколения
Основные характеристики:
- более низкое сопротивление во включенном состоянии R DS(on) по
- сравнению с ближайшей альтернативой > 25% для корпуса SuperSO8;
- более низкий выходной заряд;
- самый низкий заряд обратного восстановления - >70%;
- увеличенная надежность коммутаций;
- повышенная частота переключений.
Основные преимущества:
- отпадает необходимость параллельного подключения нескольких
- транзисторов;
- компактные размеры;
- устройства с большей плотностью мощности;
- более надежные компоненты;
- снижение стоимости системы;
- устойчивость к электромагнитным помехам.
Применение:
- низковольтные приводы;
- низковольтные драйверы и синхронные выпрямители;
- телеком источники питания;
- солнечная энергетика.