International Rectifier представил семейство новых HEXFET MOSFET, имеющих ультранизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) в стандартном корпусе SOT-23, предназначенных для различного применения, например, в переключателях аккумуляторных батарей, переключателях нагрузки, электроприводах, телекоммуникационном оборудовании и других применениях.

Применяя при производстве новых MOSFET самую передовую технологию изготовления кристалла кремния, удалось добиться значительного улучшения значений тока (на 90%) за счет уменьшения Rds(on), и таким образом предложить разработчикам оптимизированное соотношение КПД и цены для применения в конкретном устройстве. Новая линейка транзисторов покрывает полностью диапазон напряжений от -30В до 100Ви имеет различные значения Rds(on) и заряда затвора (Qg), что позволяет инженерам иметь более широкий выбор для разработки компактных, эффективных, в том числе и по цене, решений.