PQFN 3 3x3

Следуя тенденции стремительного развития технологий современные силовые установки требуют больших плотностей мощности и компактных размеров для увеличения показателей системы. Инженеры компании Infineon решают эту задачу на уровне компонентов. В дополнение к транзисторам на 25В, представленным в феврале, компания Infineon заявила новые низковольтные MOSFET транзисторы OptiMOSTM на 40В в корпусе Source-Down (SD) PQFN с посадочным местом 3.3 * 3.3 мм 2. Сфера применения транзисторов: импульсные источники питания для серверов и телеком оборудования, а так же защита аккумуляторов, электроинструменты и зарядные устройства. Корпус Source-Down (SD) характеризуется тем, что кремниевый кристалл MOSFET транзистора внутри корпуса перевернут. Таким образом, с платой через теплоотвод соединен исток, а не сток транзистора как обычно. В итоге сопротивление во включенном состоянии R DS(on) уменьшается на 25% по сравнению с существующей технологией. Тепловое сопротивление переход-корпус (R thJC) так же значительно улучшается по сравнению с традиционными PQFN корпусами. Транзисторы SD OptiMOS выдерживают токи до 194А длительное время. Кроме того, оптимизируется разводка печатной платы и повышается эффективность её использования.
Транзисторы OptiMOS SD 40 V доступны в двух версиях: стандартная и с центральным положением затвора на корпусе (Center-Gate). Вариант с затвором в центре-оптимален для параллельного включения нескольких транзисторов.