Инженеры компании Infineon представили новое семейство транзисторов 600В CoolMOSTM S7 для приложений с высокой плотностью мощности и КПД, в которых MOSFET транзисторы переключаются на низких частотах. Новая линейка транзисторов создавалась с целью сокращения статических потерь, а так же снижения времени переключения, при этом увеличив КПД для приложений с низкой частотой переключений. Новые изделия семейства CoolMOS S7 обладают более низким коэффициентом R DS(on), по сравнению с семейством CoolMOS 7, что дает снижение потерь при коммутациях во включенном состоянии и снижение стоимости.
Особенными характеристиками транзисторов семейства CoolMOS S7 является высокая импульсная способность, оптимизированные статические потери, улучшенное тепловое сопротивление, а так же изделие удовлетворяет требованиям стандартов по КПД (например, Titanium для ключевых источников питания).

Применение:

• управляемые мостовые выпрямители;
• инверторы;
• промышленные контроллеры;
• силовые твердотельные реле;
• твердотельные коммутаторы.