Banner Econo dual 3 1280x400.jpg 1117862263

Новое поколение IGBT разрабатывалось с целью увеличения плотности мощности силовых инверторов и снижения затрат на их производство. При внедрении новой технологии было крайне важно сохранить корпусное исполнение силовых модулей для того, чтобы облегчить модернизацию существующих инверторных систем и обеспечить быстрый выход устройств на рынок. Кроме того, динамические характеристики новых IGBT и диодов должны были соответствовать характеристикам выбранного корпуса.
Инженеры компании Infineon Technologies применили новую технологию внедрения кристаллов TRENCHSTOPTM IGBT7 в модули средней мощности в стандартном корпусе EconoDUALTM 3. В результате был анонсирован полу мостовой модуль FF900R12ME7_B11 с наивысшим для данного корпуса значением тока 900А при блокирующем напряжении 1200В. Применение новых модулей в инверторе позволяет получить на 30% больший выходной ток, чем на существующих серийных IGBT модулях с максимальным током в этом же корпусе.

EconoDual3 TRENCHSTOP IGBT7

Основная область применения не только промышленные приводы, но и коммерческий, строительный и сельскохозяйственный электротранспорт (CAV), а также солнечная энергетика и ИБП. Кристаллы транзисторов IGBT7 по сравнению с IGBT4 имеют существенно меньшие статические потери. Это обусловлено меньшим на 30% напряжением коллектор-эмиттер во включённом состоянии при той же площади кристалла. Дополнительно улучшена управляемость IGBT ключа и его стойкость к колебаниям в переходных состояниях. Силовые модули имеют максимальную температуру кристалла при перегрузках 175 С. Другое улучшения касается обратного диода (FWD), который также был оптимизирован для работы в приводах. Падение прямого напряжения на диоде 7 поколения (EC7) теперь на 100мВ меньше, чем падение напряжения на диоде предыдущего поколения EC4, кроме того снизилась тенденция к колебаниям во время выключения диода.